晶合集成申请一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法专利提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性

晶合集成申请一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法专利，提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性

金融界2024年6月18日消息，天眼查知识产权信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法”，晶合集成申请一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法专利，提高了多晶硅缺陷测试的可靠性和稳定性公开号CN202410591928.5，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本发明提供了一种多晶硅缺陷的测试结构及其测试方法，应用于半导体技术领域。具体在本发明提供的一种多晶硅缺陷的测试结构中，其通过仿照标准单元器件以及SRAM器件中呈U字型形状的PG晶体管的有源区结构形状，设计了一款将...